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中国将光刻设备列为“十四五”规划及《中国制造2025》的重点攻关方向，通过集成电路产业投资基金三期(规模超3000亿元)、税收优惠及研发补贴等手段，构建“国家—地方—企业”三级支持体系。地方政府以长三角、珠三角为核心，建设半导体产业园区，推动光刻设备上下游企业集聚。例如，上海微电子装备(SMEE)获得大基金二期注资，加速28nm DUV光刻机量产验证;华卓精科、科益虹源等企业在双工件台、准分子激光光源等核心部件领域取得突破，形成国产化配套能力。
根据中研普华产业研究院《2026-2030年光刻设备行业风险投资态势及投融资策略指引报告》显示：全球数字化转型与AI、HPC、新能源汽车等新兴技术需求激增，推动晶圆厂持续扩产。据国际半导体产业协会(SEMI)预测，2026—2027年全球半导体设备销售额将分别达1450亿美元和1560亿美元，其中光刻设备占比约24%。中国作为全球最大半导体设备采购市场，2025年12英寸晶圆厂产能占全球比重超20%，对成熟制程光刻设备需求旺盛。此外，Micro-LED显示、光子芯片、先进封装等新兴领域为光刻技术开辟增量市场，例如Micro-LED制造需高精度光刻设备实现微米级像素排列，光子芯片则依赖光刻工艺实现光波导图形化。
DUV光刻机仍是未来五年成熟制程(28nm及以上)的主流设备，中国通过多重曝光技术实现14nm制程量产，但成本与良率仍落后于国际水平。EUV光刻机是7nm及以下先进制程的核心装备，中国预计2027年实现28nm DUV全面国产化，2030年形成EUV关键技术模块自主能力。此外，纳米压印、电子束光刻等替代技术因成本优势受到关注，佳能推出的纳米压印设备已用于14nm芯片生产，耗电量仅为EUV的30%，未来可能在中低端市场形成补充。
2026—2030年是中国光刻设备行业从技术追赶向自主可控跨越的关键期。在国家政策引导、资本密集投入及产学研协同机制推动下，中国有望在2027年实现28nm DUV光刻机全面国产化，2030年形成EUV关键技术模块自主能力。风险投资机构需聚焦核心技术突破、产业链整合及晶圆厂绑定企业，同时警惕技术迭代、出口管制及研发周期风险，通过多元化投资组合分散不确定性。长期来看，光刻设备行业将呈现“政策驱动+技术突破+市场需求”三重共振格局，具备长期投资价值。
